ルネサス エレクトロニクスは2月18日、高密度化、低消費電力化、機能安全の強化を同時に実現し、車載用途にも適用可能な3nm FinFETプロセスを用いたコンフィギュラブルなTCAM (Ternary Content Addressable ...

台湾TSMCは、16nm FinFET＋プロセス（N16FF＋）および10nm FinFETプロセス（N10FF）を前提にした設計フローについて講演した。例えば、N10に関しては、製品ライクな検証用チップの第1弾がテープアウトしているという。この検証用チップには、4コアの「ARM Cortex-A57 ...

韓国のSamsung Electronicsは、微細加工にEUV(Extreme Ultra-Violet:極端紫外線)リソグラフィを採用した7nm世代のFinFET技術を開発し、その概要を国際学会「VLSI技術シンポジウム」で6月7日に公表した(講演番号T6-1)。 Samsung Electronicsはかねてから、7nm世代のロジック量産に ...

東芝は18日、32nmプロセス世代以降のLSIでの適用が検討されている立体構造トランジスタ(FinFET)の電流性能向上と低消費電力化を両立させる手法を開発したと発表した。 開発された手法は、従来のトランジスタの性能向上に用いられる「歪みSiチャネル技術 ...

Samsung Electronicsは、14nm世代のFinFETロジックとプロセス互換の埋め込みMRAM(eMRAM)を開発し、2023年6月13日～15日に国際学会VLSIシンポジウムでその概要を発表した(論文番号C2-2と論文番号T18-4)。128Mbitの大容量MRAMマクロを試作して開発水準が量産レベルに近いことを ...

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「フィン型電界効果トランジスタ（FinFET）の世界市場2025年」調査資料を発表しました。資料には、フィン型電界効果トランジスタ（FinFET）のグローバル市場規模 ...

FinFET技術市場は、半導体設計の急速な進展、高性能コンピューティングに対する需要の拡大、そして先端ノード製造への世界的な移行を背景に、変革期に突入しています。 FinFET技術市場規模は2024年に485.6億米ドルと評価され、2025年から2032年の予測期間に ...

NXP、TSMCの16nm FinFET技術を採用した2つの製品により車載プロセッシングのイノベーションを加速 車載プロセッシングで世界 ...

解析の結果、FinFETの特性ばらつきを支配する要因は、ゲート長やフィン厚さ、ゲート絶縁膜厚さなどのばらつきではなく、メタル・ゲートの仕事関数のばらつきであることが判明した。

FD SOIへの自信を示したMWC2013でのSTマイクロエレクトロニクス インテルは22nm FinFETプロセスで製造した高性能マイクロプロセッサHaswellなどを1億個出荷したと言ってきた。ところが、その次の14/16nm FinFETプロセスでは生産を遅らせるという決定を最近行ったようだ ...

NXPとTSMC、16nm FinFETを使用した業界初の車載用組み込みMRAMの提供へ NXPとTSMCが、TSMCの16nm FinFETテクノロジを使用した組み込みMRAM IPを共同開発 MRAMにより、自動車メーカーは新機能の導入の効率化、OTA（Over-The-Air）アップデートの高速化、生産ボトル ...

最近、半導体関連のニュースで多く耳にする「FinFET(Fin Field-Effect Transistor)」とは？について、現役半導体材料メーカー勤務の筆者が簡単に解説します！ 第1章：FinFETとは？ FinFET（フィンフェット）とは、電気の流れを立体的にコントロールする半導体 ...