キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ(以下、NIL)技術を応用し、ウエハーを平坦化する「Inkjet-based Adaptive ...
キヤノン は13日、露光装置に代わる次世代 半導体 製造装置「 ナノインプリント リソグラフィ(NIL)装置」の技術を使い、ウエハーの平たん度を高める新装置を2027年に製品化すると発表した。ウエハー表面の凹凸を5ナノメートル(ナノは10億分の1)以下に抑える。先端ロジックやメモリーで適用が増えている化学機械研磨(CMP)などの一部工程を置き換える。露光工程中心だった装置群の拡充を目指す。
カメラや複合機、半導体露光装置などを手がけるキヤノン< 7751 .T>は13日、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を応用、ウエハーを平坦化する「Inkjet-based Adaptive Planarization」(IAP)技術を開発し、実用化したと発表した。
半導体製造では、成膜や配線などの工程を重ねる中で生じるウエハー表面の凹凸を均一に整える、平坦化工程が不可欠となっている。特に、微細化や3D化が進む先端半導体では、ウエハー表面のわずかな凹凸が、CD(Critical Dimension:半導体デバイス性能に影響 ...
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